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transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
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transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

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transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Ampliación de imagen :  transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Datos del producto:
Lugar de origen: Shenzhen, China
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP4434AGYT-HF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociación
Precio: Negotiate
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 10,000PCS/Month

transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

descripción
Number modelo:: AP4434AGYT-HF Tipo:: LÓGICA ICS
Marca:: Marca original Paquete:: DIP/SMD
Condición:: El nuevo 100% AP4434AGYT-HF Medios disponible:: ficha técnica
Alta luz:

transistor de transferencia del diodo de 3.13W IGBT

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transistor de transferencia del diodo de 40A IGBT

,

MOSFET IGBT DE AP4434AGYT-HF

AP4434AGYT-HF PMPAK (transferencia original de YT MOSFET/IGBT/Diode/chips CI del transistor

 

Descripción

 

Las series de AP4434A son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar la en-resistencia posible más baja y el funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

El paquete de PMPAK® 3x3 es especial para el uso de la conversión del voltaje usando técnica infrarroja estándar del flujo con el disipador de calor de la parte trasera alcanzar el buen funcionamiento termal.

 

Grados máximos absolutos

 

Símbolo Parámetro Grado Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente +8 V
ID@TA =25℃ Corriente continua3, VGS @ 4.5V del dren 10,8
ID@TA =70℃ Corriente continua3, VGS @ 4.5V del dren 8,6
IDM Corriente pulsada1del dren 40
PD@TA =25℃ Disipación de poder total3 3,13 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

datos hermal

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
Rthj-c Resistencia termal máxima, Empalme-caso 4 ℃/W
Rthj-a Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente 40 ℃/W

 

AP4434AGYT-H

 

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática2de la Dren-fuente VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =7A - - 18
VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =4A - - 25
VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =1A - - 34
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA 0,25 - 1 V
gfs Transconductancia delantera VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =7A - 29 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS =16V, VGS =0V - - 10 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS =+8V, VDS =0V - - +100 nA
Qg Carga total de la puerta

IDENTIFICACIÓN =7A VDS =10V

VGS =4.5V

- 12,5 20 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 1,5 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 4,5 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 10 - ns
tr Tiempo de subida - 10 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado - 24 - ns
tf Tiempo de caída - 8 - ns
CISS Capacitancia entrada

VG.S =0V VDS =10V

f=1.0MHz

- 800 1280 PF
Coss Capacitancia de salida - 165 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 145 - PF
Rg Resistencia de la puerta f=1.0MHz - 1,5 3 Ω

 

Diodo del Fuente-dren

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
VSD Remita en el voltaje2 ES =2.6A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa

ES =7A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 20 - ns
Qrr Carga reversa de la recuperación - 10 - nC

 

Notas:

 

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse

3.Surface montó en 1 enel cojín del cobre2 2oz FR4 del tablero, t<> 10sec; 210oC/W cuando está montado en el cojín de cobre mínimo.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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