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Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
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Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184

Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184
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Ampliación de imagen :  Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 1SS184
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184

descripción
Identificación del producto: Identificación del producto Función: Voltaje delantero bajo
Tipo: Diodo de transferencia Paladio: 150mW
RθJA: 833℃/W TJ: 150℃
Alta luz:

dual series switching diode

,

dual zener diode

Diodo de transferencia 1SS184

 

CARACTERÍSTICAS

  •  Voltaje delantero bajo

  • Tiempo de recuperación reversa rápido

 

Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184 0Paladio bajo de alta velocidad 150mw del voltaje delantero del diodo de transferencia 1SS184 1Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal.

 

Grados máximos @Ta=25℃

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje reverso máximo sin repetición VRM 85 V
Voltaje de bloqueo de DC VR 80 V
Corriente continua delantera IFM 300 mA
La media rectificó la corriente de salida IO 100 mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición @t=8.3ms IFSM 2,0 A
Disipación de poder PD 150 mW
Resistencia termal del empalme a ambiente RθJA 833 ℃/W
Temperatura de empalme TJ 150
Gama de temperaturas de almacenamiento TSTG -55~+150

Características eléctricas @Ta=25℃

 

Parámetro Símbolo Minuto Tipo Máximo Unidad Condiciones
Voltaje de avería reverso V (BR) 80     V IR=100μA

 

Voltaje delantero

VF1   0,60   V IF=1mA
VF2   0,72   V IF=10mA
VF3   0,9 1,2 V IF=100mA

 

Corriente reversa

IR1     0,1 UA VR=30V
IR2     0,5 UA VR=80V
Capacitancia entre los terminales CT   0,9 3,0 PF VR=0, f=1MHz
Tiempo de recuperación reversa t rr   1,6 4,0 ns IF=IR=10mA, Irr=0.1×IR

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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