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Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual

Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual
Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual

Ampliación de imagen :  Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: BAW56/BAV70/BAV99
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Diodo de transferencia de alta frecuencia BAW56/BAV70/BAV99, diodo ideal dual

descripción
Identificación del producto: BAW56/BAV70/BAV99 Función: Velocidad de transferencia rápida
Tipo: Diodo de transferencia dual VR: 70V
Paladio: 225mW Si: 200mA
Alta luz:

diodo de transferencia de alto voltaje

,

diodo Zener dual

SOT-23 Plástico-encapsulan el DIODO de TRANSFERENCIA de los diodos BAW56/BAV70/BAV99

 

CARACTERÍSTICAS

Ÿ ayunan velocidad de transferencia

Ÿ para los usos de fines generales de la transferencia

Alta conductancia de Ÿ

 

 

 

Grados máximos @Ta=25℃

 

 

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto,

si ninguno, el dispositivo normal

 

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje reverso VR 70 V
Corriente delantera SI 200 mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición @t=8.3ms IFSM 2,0 A
Disipación de poder Paladio 225 mW
Empalme de la resistencia termal a ambiente RθJA 556 ℃/W
Temperatura de empalme TJ 150
Gama de temperaturas de almacenamiento TSTG -55~+150

 

 

Características eléctricas @Ta=25℃

Parámetro Símbolo Minuto Tipo Máximo Unidad Condiciones
Voltaje de avería reverso V R 70     V IR=100μA

 

 

Voltaje delantero

VF1     0,715 V IF=1mA
VF2     0,855 V IF=10mA
VF3     1 V IF=50mA
VF4     1,25 V IF=150mA
Corriente reversa IR     2,5 μA VR=70V
Capacitancia entre los terminales CT     1,5 PF VR=0, f=1MHz

 

Tiempo de recuperación reversa

 

t r r

   

 

6

 

ns

IF = IR = 10mA,

Irr= 0,1 x IR, RL = 100Ω

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete SOT-23

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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