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Datos del producto:
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| Peso: | 0,003 onzas, 0,093 gramos | Función: | Alta capacidad delantera de la sobretensión |
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| Tipo: | Rectificador de silicio de fines generales | IFSM: | 100.0Amps |
| vf: | 1.3Volts | I (SISTEMA DE PESOS AMERICANO): | 3.0Amps |
| Alta luz: | diodo de transferencia de alto voltaje,diodo de transferencia dual de la serie |
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RS3A CON voltaje del everse del SOPORTE de la SUPERFICIE de RS3M - 50 a 1000 voltios remita la corriente - 3,0 amperios
| El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores |
| Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad |
| Para la superficie salida reversa baja montada de los usos |
| Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación automatizada |
| Alta capacidad delantera de la sobretensión |
| El soldar de alta temperatura garantizado: |
| 250 segundos C/10 en el vidrio de los terminales apaciguaron el empalme del microprocesador |
DATOS MECÁNICOS
Caso: JEDEC DO-214AA moldeó el cuerpo plástico sobre microprocesador apaciguado
Terminales: Soldadura plateada, solderable por MIL-STD-750, método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,003 onzas, 0,093 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
| Número de catálogo de MDD | SÍMBOLOS | RS3A | RS3B | RS3D | RS3G | RS3J | RS3K | RS3M | UNIDADES |
| Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTIOS |
| Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | VOLTIOS |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTIOS |
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Corriente adelante rectificada media máxima en TL =75 C |
I (SISTEMA DE PESOS AMERICANO) | 3,0 | Amperios | ||||||
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Sobretensión delantera máxima 8.3ms escogen la media onda sinusoidal sobrepuesta en la carga clasificada (el método de JEDEC) |
IFSM |
100,0 |
Amperios |
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| Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A | VF | 1,3 | Voltios | ||||||
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Corriente reversa máxima TA =25 C de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA =100 C |
IR |
5,0 100,0 |
mA | ||||||
| Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1) | trr | 150 | 250 | 500 | ns | ||||
| Capacitancia de empalme típica (NOTA 2) | CJ | 60,0 | PF | ||||||
| Resistencia termal típica (NOTA 3) | RqJA | 50,0 | C/W | ||||||
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -50 a +150 | C | ||||||
Nota:
1. Condición reversa IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A de la recuperación
2. Medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
3. Resistencia termal del empalme a ambiente en 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), PWB montado
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS RS3A CON RS3M
Persona de Contacto: David
