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Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127

Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127
Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127

Ampliación de imagen :  Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: TIP127
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127

descripción
Tipo: Triodo del semiconductor Transistor del Mosfet del poder: Plástico TO-126 encapsulado
Identificación del producto: TIP122 TIP127 Función: Alto aumento actual de DC
Disipación de poder del colector: 1.25W Temperatura de empalme: 150℃
Alta luz:

triodo de los componentes electrónicos

,

interruptor del semiconductor

TO-126 Plástico-encapsulan los transistores

 

 

 

Transistor de TIP122 Darlington (NPN)

Transistor de TIP127 Darlington (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 
Transistores complementarios del silicio del poder medio
 
 
TO-126
 

1. EMISOR

 

 2. COLECTOR

 

3. BASE

 

 

 

MARCADO

 

 

TIP122, código de TIP127=Device

 

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

 

Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127 0

 

 

 

Circuito equivalente

 

Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127 1

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
TIP122 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
TIP127 TO-126 Bulto 200pcs/Bag
TIP122-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube
TIP127-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube

 

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro TIP122 TIP127 Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 100 -100 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 100 -100 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 5 -5 V
IC Corriente de colector - continua 5 -5 A
PC * Disipación de poder del colector 1,25 W
RθJA Empalme de la resistencia termal a ambiente 100 ℃/W
RθJc Empalme de resistencia termal al caso 8,33 ℃/W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

 

TIP122 NPN
Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=1mA, ES DECIR =0 100   V
voltaje de avería del Colector-emisor VCEO (SUS) IC=30mA, IB=0 100   V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=100V, ES DECIR =0   0,2 mA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=50 V, IB=0   0,5 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=5 V, IC=0   2 mA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE= 3V, IC=0.5A 1000    
hFE (2) VCE= 3V, IC=3 A 1000 12000  

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

 

VCE (sentado)

IC=3A, IB=12mA   2

 

V

IC=5 A, IB=20mA   4
Voltaje del emisor de base VBE VCE=3V, IC=3 A   2,5 V
Capacitancia de salida Mazorca VCB=10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz   200 PF

 

 

TIP127 PNP
Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-1mA, ES DECIR =0 -100   V
voltaje de avería del Colector-emisor VCEO (SUS) IC=-30mA, IB=0 -100   V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-100V, ES DECIR =0   -0,2 mA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-50 V, IB=0   -0,5 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-5 V, IC=0   -2 mA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=-3V, IC=-0.5A 1000    
hFE (2) VCE=-3V, IC=-3A 1000 12000  

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

 

VCE (sentado)

IC=-3A, IB=-12mA   -2

 

V

IC=-5 A, IB=-20mA   -4
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-3V, IC=-3 A   -2,5 V
Capacitancia de salida Mazorca VCB=-10V, ES DECIR =0, f=0.1MHz   300 PF

* esta prueba se realiza sin el disipador de calor en Ta=25℃.

 

 

Características típicasTransistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127 2

Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127 3

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Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127 6

 

 

 

Transistores encapsulados plástico del triodo TO-126 del semiconductor de TIP122 TIP127 7

 


Dimensiones del esquema del paquete TO-126

 

 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

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