Inicio ProductosTriodo del semiconductor

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

Estoy en línea para chatear ahora

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado
Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado

Ampliación de imagen :  Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: TIP42/42A/42B/42C
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado

descripción
Alta luz:

triodo de fines generales

,

interruptor del semiconductor

TO-220-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores TIP42/42A/42B/42C (PNP)

 

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos lineares de la transferencia del poder medio

Complemento a TIP41/41A/41B/41C

 

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -40 -60 -80 -100 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -40 -60 -80 -100 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector - continua -6 A
PC Disipación de poder del colector 2 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Gama de temperaturas de almacenamiento -55to+150

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Máximo Unidad

voltaje de avería de la Colector-base TIP42

TIP42A TIP42B TIP42C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= -1MA, ES DECIR =0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

V

voltaje TIP42 de avería del Colector-emisor

TIP42A TIP42B TIP42C

 

V (BR) CEO*

 

 

IC= -30MA, IB=0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

V

voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = -1MA, IC=0 -5   V

Corriente de atajo de colector TIP42 TIP42A TIP42B

TIP42C

 

 

ICBO

VCB=-40V, ES DECIR =0 VCB=-60V, ES DECIR =0 VCB=-80V, ES DECIR =0 VCB=-100V, ES DECIR =0  

 

 

-0,4

 

 

mA

Corriente de atajo de colector TIP42/42A TIP42B/42C ICEO

VCE= -30V, IB= 0

VCE= -60V, IB= 0

  -0,7 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-5V, IC=0   -1 mA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=-4V, IC=-0.3A 30    
  hFE (2) VCE=-4 V, IC= -3A 15 75  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-6A, IB=-0.6A   -1,5 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-4V, IC=-6A   -2 V
Frecuencia de la transición fT VCE=-10V, IC=-0.5 3   MHZ

 

 

 

Characterisitics típico

 

TIP42C

 

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado 0

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado 1

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado 2

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado 3

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete de TO-220-3L

 

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Voltaje bajo -5 V del emisor del triodo TIP42/42A/42B/42C del semiconductor del poder más elevado 4

 

 

 

 

 

 


 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Deja un mensaje

¡Te llamaremos pronto!