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Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23

Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23
Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23

Ampliación de imagen :  Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: FMMT591
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23

descripción
Voltaje de la Colector-base de VCBO: -80 V Nombre del producto: Triodo del semiconductor
Alta luz:

transistor de alta frecuencia

,

transistores del mosfet del poder

SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores FMMT591 (PNP)
 

CARACTERÍSTICA
 

En-resistencia equivalente baja

 

Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 0

Marcado: 591

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

SímboloParámetroValorUnidad
VCBOVoltaje de la Colector-base-80V
VCEOVoltaje del Colector-emisor-60V
VEBOVoltaje de la Emisor-base-5V
ICCorriente de colector-1A
ICMCorriente máxima del pulso-2A
PCDisipación de poder del colector250mW
RΘJAResistencia termal del empalme a ambiente500℃/W
TjTemperatura de empalme150
TstgTemperatura de almacenamiento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaMinutoTipoMáximoUnidad
voltaje de avería de la Colector-baseV (BR) CBOIC=-100μA, ES DECIR =0-80  V
voltaje de avería del Colector-emisorCEO V (BR)1IC=-10mA, IB=0-60  V
voltaje de avería de la Emisor-baseV (BR) EBOES DECIR =-100ΜA, IC=0-5  V
Corriente de atajo de colectorICBOVCB=-60V, ES DECIR =0  -0,1μA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB=-4V, IC=0  -0,1μA

 
 
 

Aumento actual de DC

hFE (1)VCE=-5V, IC=-1mA100   
 hFE (2) 1VCE=-5V, IC=-500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=-5V, IC=-1A80   
 hFE (4) 1VCE=-5V, IC=-2A15   

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

VCE (sentado) 1 1IC=-500mA, IB=-50mA  -0,3V
 VCE (sentado) 2 1IC=-1A, IB=-100mA  -0,6V
Voltaje de saturación del emisor de baseVBE (sentado) 1IC=-1A, IB=-100mA  -1,2V
Voltaje del emisor de base

1

VBE

VCE=-5V, IC=-1A  -1V
Frecuencia de la transiciónpieVCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz150  Megaciclo
Capacitancia de salida del colectorMazorcaVCB=-10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Medido bajo condiciones pulsadas, pulso width=300μs, deber el cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics típico 
 
 Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 1

Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 2

Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 3Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 4


 
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

SímboloDimensiones en milímetrosDimensiones en pulgadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERENCIAS0,022 REFERENCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 5
Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 6
Transistores encapsulados plástico del transistor de poder del silicio FMMT591 SOT-23 7
 
 
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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