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Datos del producto:
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Función: | Salida baja | Transistor del Mosfet del poder: | SOT-23 Plástico-encapsulan los transistores |
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Identificación del producto: | MMBT4403 | Tipo: | TRANSFERENCIA DIODESOD |
Alta luz: | transistor de alta frecuencia,transistores del mosfet del poder |
SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBT4403 (NPN)
Transistor de transferencia
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | -40 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | -40 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
IC | Corriente de colector | -600 | mA |
PC | Disipación de poder del colector | 300 | mW |
RΘJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 417 | ℃/W |
Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=-100μA, ES DECIR =0 | -40 | V | ||
voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=-1mA, IB=0 | -40 | V | ||
voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=-35V, ES DECIR =0 | -0,1 | μA | ||
Corriente de atajo de colector | ICEX | VCE=-35V, VBE=0.4V | -0,1 | μA | ||
Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
Aumento actual de DC |
hFE1 | VCE=-1V, IC=-0.1mA | 30 | |||
hFE2 | VCE=-1V, IC=-1mA | 60 | ||||
hFE3 | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | ||||
hFE4 | VCE=-2V, IC=-150mA | 100 | 300 | |||
hFE5 | VCE=-2V, IC=-500mA | 20 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor |
VCE (sentado) |
IC=-150mA, IB=-15mA | -0,4 | V | ||
IC=-500mA, IB=-50mA | -0,75 | V | ||||
Voltaje de saturación del emisor de base |
VBE (sentado) |
IC=-150mA, IB=-15mA | -0,95 | V | ||
IC=-500mA, IB=-50mA | -1,3 | V | ||||
Frecuencia de la transición | fT | VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz | 200 | Megaciclo | ||
Tiempo de retraso | td |
VCC=-30V, VBE (apagado) =-0.5V IC=-150mA, IB1=-15mA |
15 | ns | ||
Tiempo de subida | tr | 20 | ns | |||
Tiempo de almacenamiento | ts |
VCC=-30V, IC=-150mA IB1=IB2=-15mA |
225 | ns | ||
Tiempo de caída | tf | 60 | ns |
Characterisitics típico
Dimensiones del esquema del paquete
Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
L | 0,550 REFERENCIAS | 0,022 REFERENCIAS | ||
L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Persona de Contacto: David