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Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
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Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN

Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN
Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN

Ampliación de imagen :  Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: MMBTA56
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN

descripción
Temperatura de empalme: ℃ 150 Disipación de poder del colector: 225mW
Función: Usos de fines generales del amplificador Materiales: silicio
Corriente de colector: 600 mA Temperatura de almacenamiento: -55~+150℃
Alta luz:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MMBTA56 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

l usos de fines generales del amplificador

Marcado: 2GM

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -80 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -80 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -4 V
IC Corriente de colector -500 mA
PC Disipación de poder del colector 225 mW
RΘJA Resistencia termal del empalme a ambiente 555 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -80     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -80     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=-80V, IE=0     -0,1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=-60V, IB=0     -1 µA
voltaje de avería de la Emisor-base IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 µA
Aumento actual de DC hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Frecuencia de la transición pie VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     Megaciclo

 
 
 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

 

 

Características típicas

Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN 0

Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN 1

Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN 2

Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN 3

 
 

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Transistor de poder de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de transferencia rápido NPN 5
 
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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