Inicio ProductosTransistor de poder del silicio

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

Estoy en línea para chatear ahora

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad
A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

Ampliación de imagen :  A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: A42
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad

descripción
Voltaje de la Colector-Base: 310V voltaje de la Emisor-base: 5V
Tstg: -55~+150℃ Materiales: silicio
Corriente de colector: 600 mA
Alta luz:

transistor de alta frecuencia

,

transistores del mosfet del poder

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor

Alto voltaje de avería

 

Marcado: D965A

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 310 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 305 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 5 V
IC Corriente de colector - continua 200 mA
ICM Corriente de colector - pulsada 500 mA
PC Disipación de poder del colector 500 mW
RθJA Resistencia termal del empalme a ambiente 250 ℃/W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=100ΜA, ES DECIR =0 310     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 305     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =100ΜA, IC=0 5     V

 

Corriente de atajo de colector

ICBO VCB=200V, ES DECIR =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Frecuencia de la transición fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Megaciclo

 

 

 
 

 Características típicas

 

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 0

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 1

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 2

 

 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERENCIA. 0,061 REFERENCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 3
 

 

Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

 

A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 4
 
 
Cinta y carrete de SOT-89-3L
A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 5
A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 6
A42 transistores de poder del silicio NPN, transistor de poder de NPN de gran intensidad 7
 
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Deja un mensaje

¡Te llamaremos pronto!