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Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W

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Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W

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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: D882
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W

descripción
Voltaje de la Colector-Base: 40V Disipación de poder del colector: 0.5W
voltaje de la Emisor-base: 6v Aplicación: la fuente de alimentación móvil llevó control del conductor/de motor
La corriente de colector pulsó: -0.3A
Alta luz:

transistor de alta frecuencia

,

transistor del interruptor

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Disipación de poder

 

Marcado: A94

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 3 A
PC Disipación de poder del colector 0,5 W

 

RӨJA

Resistencia termal del empalme a ambiente

 

250

℃/W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = 100μA, ES DECIR =0 40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 40V, ES DECIR =0     1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 30V, IB=0     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 6V, IC=0     1 µA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=2V, IC= 1A 60   400  
  hFE (2) VCE=2V, IC= 100mA 32      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE= 5V, Ic=0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

Megaciclo

 
 

CLASIFICACIÓN DEFEde h(1)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 

Características típicas

 

 

 

Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W 0Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W 1

Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W 2

Transferencia de alta velocidad de la disipación de poder del colector del transistor de poder del silicio D882 0.5W 3

 

 

 


 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERENCIA. 0,061 REFERENCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

 

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Cinta y carrete de SOT-89-3L
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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