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Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Name: Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: B772

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Ampliación de imagen : Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	B772

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

descripción

Disipación de poder:	1.5W	Características:	Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor
Disipación del colector:	1.25W	Uso:	Componentes electrónicos
Voltaje de la Colector-Base:	40V	Caso:	Cinta/bandeja/carrete
Alta luz:	transistor del pnp de la extremidad , transistores de la serie de la extremidad

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores B772 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Transferencia de poca velocidad

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	-40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	-30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-6	V
I_C	Corriente de colector - continua	-3	A
P_C	Disipación del colector	1,25	W
RӨJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	100	℃/W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

GRADOS de AXIMUM (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	Ic=-100μA, ES DECIR =0	-40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=-10mA, I_B=0	-30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =-100 μA, I_C=0	-6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=-40 V, ES DECIR =0			-1	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=-30 V I_B=0			-10	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=-2V, I_C=-1A	60		400
	hFE (2)	V_CE=-2V, I_C=-100mA	32
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=-2A, I_B=-0.2A			-0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=-2A, I_B=-0.2A			-1,5	V
Frecuencia de la transición	pie	V_CE=-5V, I_C=-0.1A f=10MHz	50			Megaciclo

CLASIFICACIÓN del hFE (1)

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772 0

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772 1

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Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772 3

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Mínimo.	Máximo.	Mínimo.	Máximo.
A	--	1,800	--	0,071
A1	0,020	0,100	0,001	0,004
A2	1,500	1,700	0,059	0,067
b	0,660	0,840	0,026	0,033
b1	2,900	3,100	0,114	0,122
c	0,230	0,350	0,009	0,014
D	6,300	6,700	0,248	0,264
E	6,700	7,300	0,264	0,287
E1	3,300	3,700	0,130	0,146
e	2,300 (BSCA)		0,091 (BSCA)
L	0,750	--	0,030	--
θ	0°	10°	0°	10°

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772 4

Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

Cinta y carrete de SOT-89-3L

etiqueta:

Persona de Contacto: David

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Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio

Voltaje de saturación bajo del emisor del colector de los transistores de poder de la extremidad de SOT-89-3L B772

transistor de poder del mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo de transferencia dual

Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

diodo de rectificador rápido de la recuperación

diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

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