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temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad 2N3904 alta -55-150

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 2N3904
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad 2N3904 alta -55-150

descripción
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor Aplicación: la fuente de alimentación móvil llevó control del conductor/de motor
Materiales: silicio voltaje de la Emisor-base: 6v
Caso: Cinta/bandeja/carrete
Alta luz:

transistor del pnp de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2N3904 (NPN).

 

 

 

CARACTERÍSTICA

Transistor planar epitaxial del silicio de Ÿ NPN para cambiar y los usos del amplificador

Ÿ como tipo complementario, el transistor 2N3906 de PNP se recomienda

Este transistor de Ÿ está también disponible en el caso SOT-23 con el tipo designación MMBT3904

 

 

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INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
2N3904 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
2N3904-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box

 

GRADOS MÁXIMOS (TA =25Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 60 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 40 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 0,2 A
PC Disipación de poder del colector 0,625 W
TJ Temperatura de empalme 150 Š
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150 Š

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=10ΜA, ES DECIR =0 60     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 40     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 10µA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=60V, ES DECIR =0     0,1 µA
Corriente de atajo de colector ICEX VCE=30V, VEB(apagado) =3V     0,05 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 5V, IC=0     0,1 µA

 

Aumento actual de DC

hFE1 VCE=1V, IC=10mA 100   400  
hFE2 VCE=1V, IC=50mA 60      
hFE3 VCE=1V, IC=100mA 30      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=50mA, IB=5mA     0,3 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=50mA, IB=5mA     0,95 V
Frecuencia de la transición fT VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 300     MHZ
Tiempo de retraso td

VCC=3V, VBE=0.5V,

IC=10mA, IB1=1mA

    35 ns
Tiempo de subida tr     35 ns
Tiempo de almacenamiento ts

VCC=3V, IC=10mA

IB1=IB2=1mA

    200 ns
Tiempo de caída tf     50 ns

 

 

CLASIFICACIÓN de hFE1

Fila O Y G
Nge del Ra 100-200 200-300 300-400

 
 
Características típicas
 
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 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín
 
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Disposición sugerida TO-92 del cojín
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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