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Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

Name: Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: TO-92 A42

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

Ampliación de imagen : Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	TO-92 A42

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

descripción

VCBO:	310V	VCEO:	305V
VEBO:	5V	Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor del silicio
TJ:	150℃	Caso:	Cinta/bandeja/carrete
Alta luz:	transistores de la serie de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A42 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Alto voltaje

MARCADO

Código de A42=Device
El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal
Z=Rank del hFE
XXX=Code

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
A42	TO-92	Bulto	10000
A42-TA	TO-92	Cinta	2000

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	310	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	305	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	5	V
I _C	Colector Curren t - continuo	200	mA
I CM	Corriente de colector - pulsada	500	mA
P_C	Disipación de poder del colector	625	mW
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃
RӨJA	Resistencia termal, empalme a ambiente	200	℃ /mW
RӨJC	Resistencia termal, empalme al caso	83,3	℃ /mW

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=100uA, ES DECIR =0	310			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=1mA, I_B=0	305			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =100ΜA, I_C=0	5			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=200V, ES DECIR =0			0,25	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=10V, I_C=1mA	60
	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=10mA	80		250
	hFE (3)	V_CE=10V, I_C=30mA	75
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,2	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=20mA, I_B=2mA			0,9	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=20V, I_C=10mA, f=30MH_Z	50			Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

FILA	A	B	C
GAMA	100-150	150-200	200-300

Características típicas

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42 1

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42 2

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Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42 4

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

etiqueta:

Persona de Contacto: David

Otros productos

Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

transistor de poder del mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo de transferencia dual

Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

diodo de rectificador rápido de la recuperación

diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Tipo del triodo del semiconductor del silicio de los transistores de poder de la extremidad de TO-92 A42

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transistores de la serie de la extremidad

transistor del pnp del poder más elevado

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

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transistores de la serie de la extremidad,

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