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Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet

(118)

Transistores de poder de la extremidad

(30)

Transistor de poder del silicio

(19)

Diodo de transferencia dual

(15)

Transistor de efecto de campo del MOS

(29)

Mosfet en doble canal

(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación

(6)

diodo Zener del poder

(6)

puente rectificador de Schottky

(10)

diodo de rectificador de alto voltaje

(15)

Triodo del semiconductor

(9)

Estabilizador IC del voltaje

(14)
Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores
Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

Ampliación de imagen :  Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: A733
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

descripción
VCBO: -60V VCEO: -50V
VEBO: -5V Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio
TJ: 150Š Tipo: Transistor del triodo
Alta luz:

transistores de la serie de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A733 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Disipación de poder

 

 

MARCADO

  • Código de A733=Device
  • El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal
  • Z=Rank del hFE
  • XXX=Code

 

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores 0

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
A733 TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
A733-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -60 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -50 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
I C Corriente de colector - continua -100 mA
PC Disipación de poder del colector 250 mW
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura del empalme y de almacenamiento -55~+150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= -50UA, ES DECIR =0 -60     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= -1MA, IB=0 -50     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = -50UA, IC=0 -5     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= -60V, ES DECIR =0     -0,1 UA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 UA
Aumento actual de DC hFE VCE= -6V, IC= -1MA 90 200 600  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= -100mA, I B=- 10mA   -0,18 -0,3 V
Voltaje del emisor de base VBE VCE=-6V, IC=-1.0mA -0,58 -0,62 -0,68 V
Frecuencia de la transición pie VCE=-6V, IC=-10mA 100     Megaciclo
Capacitancia de salida del colector Mazorca VCB=-10V, ES DECIR =0, f=1MHZ     6 PF

 

Figura de ruido

 

N-F

VCE=-6V, IC=-0.3mA,

Rg=10kΩ, f=100HZ

    

 

20

 

DB

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R Q P K
Gama 90-180 135-270 200-400 300-600

 

 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

etiqueta:

transistor del pnp del poder más elevado,

transistores de la serie de la extremidad,

transistor del pnp de la extremidad

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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