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Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92

Name: Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D882S

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92

Ampliación de imagen : Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	D882S

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92

descripción

VCBO:	40V	VCEO:	30V
VEBO:	6v	Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor del silicio
IC:	3A	Transistor del Mosfet del poder:	TO-92 Plástico-encapsulan
Alta luz:	transistor del pnp de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882S (NPN)

CARACTERÍSTICA

Disipación de poder

MARCADO

Código de D882=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE, XXX=Code

Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
D882S	TO-92	Bulto	1000pcs/Bag
D882S-TA	TO-92	Cinta	2000pcs/Box

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Metro de Para	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	3	A
P_D	Disipación de poder del colector	625	mW
R0 JA	La termal resiste el empalme de la ROM del ance f a ambiente	200	Š/W
T_j	Temperatura de empalme	150	Š
Tstg	Temperatura del orage del St	-55 ~+150	Š

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C = 100µA, ES DECIR =0	40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 100µA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 40V, ES DECIR =0			1	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= 30V, I_B=0			10	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= 6V, I_C=0			1	μA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE=2V, I_C= 1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= 5V, Ic=0.1A f =10MHz	50	80		Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Transistores encapsulados plástico de los transistores de poder de la extremidad de D882S NPN TO-92 1

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

etiqueta:

Persona de Contacto: David

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Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan

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VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio

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Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

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diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

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