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Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto

Name: Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D965

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto

Ampliación de imagen : Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	D965

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto

descripción

VCBO:	42V	VCEO:	22v
VEBO:	6v	Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor
Disipación de poder del colector:	750mW	TJ:	150Š
Alta luz:	transistores de la serie de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D965 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Amplificador audio de Ÿ

Unidad del flash de Ÿ de cámara

Circuito de la transferencia de Ÿ

MARCADO

Código de D965=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea,

si ninguno, el dispositivo normal

Z=Rank del hFE, XXX=Code

Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
D965	TO-92	Bulto	1000pcs/Bag
D965-TA	TO-92	Cinta	2000pcs/Box

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Metro de Para	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	42	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	22	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	5	A
P_D	Disipación de poder del colector	750	mW
R0 JA	La termal resiste el empalme de la ROM del ance f a ambiente	166,7	Š/W
T_j	Temperatura de empalme	150	Š
Tstg	Temperatura del orage del St	-55 ~+150	Š

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	MINUTO	TIPO	Max	UNIDAD
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=0.1mA, ES DECIR =0	42			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C=1mA, I_B=0	22			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 10µA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=30V, ES DECIR =0			0,1	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=6V, I_C=0			0,1	µA
Aumento actual de DC	hFE (1)	V_CE=2V, I_C= 0,15 mA	150
	hFE (2)	V_CE= 2V, I_C = 500 mA	340		2000
	hFE (3)	V_CE=2V, I_C = 2A	150
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C=3000mA, I_B=100 mA			0,35	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=6V, I_C=50mA, f=30MHz		150		Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	R	T	V
Gama	340-600	560-950	900-2000

Características típicas

Circuito del transistor de D965 NPN, rendimiento del transistor de poder de NPN alto 1

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

etiqueta:

Persona de Contacto: David

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Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
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Materiales: silicio
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Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

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VEBO: -5V
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