Inicio Productos Transistores de poder de la extremidad

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Name: Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: B772

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

Estoy en línea para chatear ahora

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Ampliación de imagen : Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	B772

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

descripción

Corriente de colector - continua:	3A	VCEO:	30V
VCBO:	40V	Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor
TJ:	150℃	Tipo:	Transistor del triodo
Alta luz:	transistor del pnp de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Disipación de poder

MARCADO

Código de D882=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
D882	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
D882-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	3	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,25	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) _CBO	I_C = 100μA, ES DECIR =0	40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) _CEO V	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) _EBO	ES DECIR = 100μA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 40 V, ES DECIR =0			1	µA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= 30 V, I_B=0			10	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			1	µA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= 2 V, I_C= 1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= 5V, I_C=0.1A f =10MHz		90		Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150 1

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150 5

etiqueta:

Persona de Contacto: David

Otros productos

Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

transistor de poder del mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo de transferencia dual

Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

diodo de rectificador rápido de la recuperación

diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

transistor del pnp de la extremidad

transistor del pnp del poder más elevado

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

transistor del pnp del poder más elevado,

transistores de la serie de la extremidad,

transistor del pnp de la extremidad

Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

Temperatura de almacenamiento de la densidad de célula del soporte de la superficie de los transistores de la serie de la extremidad B772 alta -55-150

transistor del pnp de la extremidad

transistor del pnp del poder más elevado

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

transistor del pnp del poder más elevado,

transistores de la serie de la extremidad,

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎