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Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Name: Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D882

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Ampliación de imagen : Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	D882

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

descripción

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base:	40V	Voltaje del Colector-Emisor:	30V
voltaje de la Emisor-base:	6v	Transistor del Mosfet del poder:	TO-126 Plástico-encapsulan
Materiales:	silicio	Tipo:	Transistor del triodo
Alta luz:	transistores de la serie de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Disipación de poder

MARCADO

Código de D882=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal XX=Code

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
D882	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
D882-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	40	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	30	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	6	V
I_C	Corriente de colector - continua	3	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,25	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55-150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) _CBO	I_C = 100μA, ES DECIR =0	40			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) _CEO V	I_C = 10mA, I_B=0	30			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) _EBO	ES DECIR = 100μA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= 40 V, ES DECIR =0			1	µA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= 30 V, I_B=0			10	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= 6 V, I_C=0			1	µA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= 2 V, I_C= 1A	60		400
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= 5V, I_C=0.1A f =10MHz		90		Megaciclo

CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₂₎

Fila	R	O	Y	GR
Gama	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN 1

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
Símbolo	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

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etiqueta:

Persona de Contacto: David

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Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
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Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
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Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan
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VCEO: -50V
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Voltaje de la Colector-Base: 700V
Temperatura de empalme: ℃ 150
voltaje de la Emisor-base: 9V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

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