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Datos del producto:
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| PC: | 1.25W | Temperatura de empalme: | ℃ 150 |
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| Temperatura de almacenamiento: | -55-150℃ | Transistor del Mosfet del poder: | TO-251-3L Plástico-encapsulan |
| Materiales: | silicio | Tipo: | Transistor del triodo |
| Alta luz: | transistor del pnp de la extremidad,transistor del pnp del poder más elevado |
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TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882 (NPN)
Disipación de poder
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 40 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 30 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 3 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | ℃ |
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, ES DECIR =0 | 40 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= 40 V, ES DECIR =0 | 1 | µA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Aumento actual de DC | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
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Frecuencia de la transición |
fT |
VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
Megaciclo |
| Fila | R | O | Y | GR |
| Gama | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
Persona de Contacto: David
