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Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN

Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN
Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN

Ampliación de imagen :  Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: D882M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN

descripción
Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v Transistor del Mosfet del poder: TO-252-2L Plástico-encapsulan
Tipo: tipo del triodo del semiconductor Uso: Componentes electrónicos
Alta luz:

transistores de la serie de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

TO-252-2L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores D882M (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Disipación de poder

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 40 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 30 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 3 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC = 100μA, ES DECIR =0 40     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 40 V, ES DECIR =0     1 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Aumento actual de DC hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megaciclo

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila R O Y GR
Gama 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN 0Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN 1Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN 2Eficacia alta baja del voltaje 6V del emisor del interruptor del transistor de D882M NPN 3
 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPOS.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 REFERENCIA. 0,190 REFERENCIAS.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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