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Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B
Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

Ampliación de imagen :  Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 3DD13002B
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B

descripción
VCBO: 600v VCEO: 400V
Voltaje de la Colector-Base: 6v Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor
Transistor del Mosfet del poder: TO-92 Plástico-encapsulan Tipo: Transistor del triodo
Alta luz:

transistores de la serie de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13002B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder

 

 

MARCADO

código 13002B=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

XXX=Code

 

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 0

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
3DD13002B TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
3DD13002B-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 600 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 0,8 A
PC Disipación de poder del colector 0,9 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 ~ 150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

 

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 1

Parámetro

Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo

 

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 2

Unidad

voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=100μA, ES DECIR =0 600     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V

 

Corriente de atajo de colector

ICBO VCB= 600V, ES DECIR =0     100 µA
  ICEO VCE= 400V, IB=0     100 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 6 V, IC=0     100 µA

 

Aumento urrent de DC c

hFE1 VCE= 10 V, IC=200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC=0.25mA 5      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=200mA, IB=40mA     1,1 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megaciclo

Tiempo de caída tf

 

IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V

    0,5 µs
Tiempo de almacenamiento ts       2,5 µs

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Gama 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Características típicas

Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 3Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 4Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 5Voltaje de saturación bajo del circuito VCEO 400V del transistor de poder más elevado 3DD13002B 6

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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