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Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B
Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

Ampliación de imagen :  Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 3DD13003B
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B

descripción
Voltaje de la Colector-Base: 700V Voltaje del Colector-Emisor: 400V
voltaje de la Emisor-base: 9V Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor
TJ: 150℃ Tipo: Transistor del triodo
Alta luz:

transistores de la serie de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13001B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

 

 

MARCADO

código 13003B=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

XXX=Code

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B 0

 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte Paquete Método del embalaje Cantidad del paquete
3DD13003B TO-92 Bulto 1000pcs/Bag
3DD13003B-TA TO-92 Cinta 2000pcs/Box


 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Valor Unidad
V CBO Voltaje de la Colector-base 700 V
V CEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
V EBO Voltaje de la Emisor-base 9 V
IC Corriente de colector - continua 1,5 A
PC Disipación de poder del colector 0,9 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= 1mA, ES DECIR =0 700     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= 10mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 1mA, IC=0 9     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB= 700V, ES DECIR =0     100 µA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE= 400V, IB=0     50 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 7V, IC=0     10 µA
Aumento actual de DC hFE VCE= 10V, IC= 0,4 A 20   40  

 

voltaje de saturación del Colector-emisor

VCE (sentado) 1 IC=1.5A, IB= 0.5A     3 V
  VCE (sentado) 2 IC=0.5A, IB= 0.1A     0,8 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=0.5A, IB=0.1A     1 V
Frecuencia de la transición fT VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz 4     Megaciclo
Tiempo de caída tf IC=1A     0,7 µs
Tiempo de almacenamiento ts IB1=-IB2=0.2A     4 µs

 
  

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

Fila        
Gama 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Características típicas

Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B 1Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B 2Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B 3Voltaje bajo 9v Rdson bajo del emisor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13003B 4

 

 

 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

 

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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