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Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Name: Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: MJE13003

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Ampliación de imagen : Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	MJE13003

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

descripción

Tipo:	Transistor del triodo	Materiales:	silicio
Transistor del Mosfet del poder:	TO-126 Plástico-encapsulan	Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor
TJ:	150℃
Alta luz:	transistores de la serie de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores MJE13003 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

MARCADO

Código de MJE13003=Device

Punto sólido = verde que moldea el dispositivo compuesto, si ninguno, el dispositivo normal

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN 0

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN 1

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
MJE13003	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
MJE13003-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Colector - voltaje bajo	600	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	420	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	7	V
I_C	Corriente de colector - continua	0,2	A
P_C	Disipación de poder del colector	0,75	W
T_J	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55 ~150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C= 0.1mA, ES DECIR =0	600			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= 1mA, I_B=0	400			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR =0.1MA, I_C=0	6			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=600V, ES DECIR =0			100	UA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=400V, I_B=0			100	UA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			10	UA
Aumento actual de DC	hFE (1)*	V_CE=10V, I_C=200mA	20		30
Aumento actual de DC	hFE (2)	V_CE=10V, I_C=250μA	5
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) 1	I_C=200mA, I_B=40mA			0,5	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C=200mA, I_B=40mA			1,1	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=10V, I_C=100mA, f=1MHz	5			Megaciclo
Tiempo de caída	t_f	I_C=100mA			0,5	μs
Tiempo de almacenamiento	tS*	I_C=100mA	2		4	μs

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN 2

etiqueta:

Persona de Contacto: David

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Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio

Eficacia alta baja del voltaje 9V del emisor del interruptor del transistor de 3DD13005 Npn

Voltaje de la Colector-Base: 700V
Temperatura de empalme: ℃ 150
voltaje de la Emisor-base: 9V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

transistor de poder del mosfet

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Transistor de poder del silicio

Diodo de transferencia dual

Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

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diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

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