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Circuito del transistor de 3DD13003 NPN, voltaje 400V del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Circuito del transistor de 3DD13003 NPN, voltaje 400V del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Circuito del transistor de 3DD13003 NPN, voltaje 400V del emisor del colector del transistor de poder de NPN
Circuito del transistor de 3DD13003 NPN, voltaje 400V del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Ampliación de imagen :  Circuito del transistor de 3DD13003 NPN, voltaje 400V del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 3DD13003
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Circuito del transistor de 3DD13003 NPN, voltaje 400V del emisor del colector del transistor de poder de NPN

descripción
Voltaje de la Colector-Base: 700V Voltaje del Colector-Emisor: 400V
Corriente de colector - continua: 1.5A Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor
Disipación de poder del colector: 2w Tipo: Transistor del triodo
Alta luz:

transistor del pnp de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

TO-220-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13003 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

· usos de la transferencia del poder

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base 700 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 9 V
IC Corriente de colector - continua 1,5 A
PC Disipación de poder del colector 2 W
TJ Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro

Símbolo

Ymbol de S

Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC =5MA, ES DECIR =0 700     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=10mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =2MA, IC=0 9     V
Corriente de atajo de colector ICBO VCB=700V, ES DECIR =0     1 mA
Corriente de atajo de colector ICEO VCE=400V, IB=0     0,5 mA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=9V, IC=0     1 mA

 

Aumento actual de DC

hFE1 VCE=5V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE2 VCE=5V, IC= 1.5A 5      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=1A, IB=0.25A     0,6 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=1A, IB=0.25A     1,2 V
Frecuencia de la transición fT VCE=10V, Ic=100mA, f =1MHz 5     Megaciclo
Tiempo de caída tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A, VCC=100V     0,5 µs
Tiempo de almacenamiento tS IC=250mA (UI9600) 2   4 μs

 

 

CLASIFICACIÓN de hFE1

Gama 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

CLASIFICACIÓN de tS

 

Fila A1 A2 B1 B2
Gama 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs 

 
 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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