Datos del producto:
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Voltaje de la Colector-Base: | 700V | Voltaje del Colector-Emisor: | 400V |
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Corriente de colector - continua: | 1.5A | Nombre del producto: | tipo del triodo del semiconductor |
Disipación de poder del colector: | 2w | Tipo: | Transistor del triodo |
Alta luz: | transistor del pnp de la extremidad,transistor del pnp del poder más elevado |
TO-220-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13003 (NPN)
· usos de la transferencia del poder
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | 700 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 400 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 9 | V |
IC | Corriente de colector - continua | 1,5 | A |
PC | Disipación de poder del colector | 2 | W |
TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~150 | ℃ |
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
Parámetro |
Símbolo Ymbol de S |
Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC =5MA, ES DECIR =0 | 700 | V | ||
voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=10mA, IB=0 | 400 | V | ||
voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =2MA, IC=0 | 9 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=700V, ES DECIR =0 | 1 | mA | ||
Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE=400V, IB=0 | 0,5 | mA | ||
Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=9V, IC=0 | 1 | mA | ||
Aumento actual de DC |
hFE1 | VCE=5V, IC= 0,5 A | 8 | 40 | ||
hFE2 | VCE=5V, IC= 1.5A | 5 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=1A, IB=0.25A | 0,6 | V | ||
Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=1A, IB=0.25A | 1,2 | V | ||
Frecuencia de la transición | fT | VCE=10V, Ic=100mA, f =1MHz | 5 | Megaciclo | ||
Tiempo de caída | tf | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A, VCC=100V | 0,5 | µs | ||
Tiempo de almacenamiento | tS | IC=250mA (UI9600) | 2 | 4 | μs |
CLASIFICACIÓN de hFE1
Gama | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASIFICACIÓN de tS
Fila | A1 | A2 | B1 | B2 |
Gama | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs |
Dimensiones del esquema del paquete TO-92
Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
A | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
A1 | 2,520 | 2,820 | 0,099 | 0,111 |
b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
E1 | 12,060 | 12,460 | 0,475 | 0,491 |
e | 2,540 TIPO | 0,100 TIPOS | ||
e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
F | 2,590 | 2,890 | 0,102 | 0,114 |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
L | 13,400 | 13,800 | 0,528 | 0,543 |
L1 | 3,560 | 3,960 | 0,140 | 0,156 |
Φ | 3,735 | 3,935 | 0,147 | 0,155 |
Persona de Contacto: David