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Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

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transistor de poder del mosfet

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Transistores de poder de la extremidad

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Transistor de poder del silicio

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Diodo de transferencia dual

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Transistor de efecto de campo del MOS

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Mosfet en doble canal

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diodo de rectificador rápido de la recuperación

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diodo Zener del poder

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puente rectificador de Schottky

(10)

diodo de rectificador de alto voltaje

(15)

Triodo del semiconductor

(9)

Estabilizador IC del voltaje

(14)
Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002
Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

Ampliación de imagen :  Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 3DD13002
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002

descripción
Temperatura de almacenamiento: -55~150℃ TJ: ℃ 150
Disipación de poder del colector: 1.25W Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor
Corriente de colector: 3.5A Tipo: Transistor del triodo
Alta luz:

transistor del pnp de la extremidad

,

transistor del pnp del poder más elevado

TO-251-3L/TO-252-2L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13002 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Usos de la transferencia del poder

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Colector - voltaje bajo 600 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor 400 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base 6 V
IC Corriente de colector - continua 1 A
PC Disipación de poder del colector 1,25 W
TJ Temperatura de empalme 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~150 ℃

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario


 

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC= 100μA, ES DECIR =0 600     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 400     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR = 100μA, IC=0 6     V

 

Corriente de atajo de colector

 ICBO VCB= 600V, ES DECIR =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, ES DECIR =0     100 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

Aumento actual de DC

 hFE1 VCE= 10 V, IC= 200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25mA 5      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Voltaje de saturación del emisor de base VSEA (sentado) IC=200mA, IB= 40mA     1,1 V

 

Frecuencia de la transición

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

    

 

Megaciclo
Tiempo de caída tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tiempo de almacenamiento ts       2,5 µs

 

 

CLASIFICACIÓN de hFE1

Gama 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Características típicas

 

 Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002 0Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002 1Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002 2Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002 3
 

 

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TIPO. 0,091 TIPOS.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Transistor NPN de los transistores de poder de TO-252Tip 3DD13002 4

 

 

etiqueta:

transistor del pnp del poder más elevado,

transistores de la serie de la extremidad,

transistor del pnp de la extremidad

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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