|
Datos del producto:
|
| VCBO: | 700V | VCEO: | 400V |
|---|---|---|---|
| voltaje de la Emisor-base: | 9V | Nombre del producto: | tipo del triodo del semiconductor |
| Disipación del colector: | 1.25W | Tipo: | Transistor del triodo |
| Alta luz: | transistores de la serie de la extremidad,transistor del pnp del poder más elevado |
||
TO-251-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13003 (NPN)
Usos de la transferencia del poder
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 700 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 400 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 9 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | 1,5 | A |
| PC | Disipación del colector | 1,25 | W |
| TJ, Tstg | Temperatura del empalme y de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= 700V, ES DECIR =0 | 1 | mA | ||
| Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 0,5 | mA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= 9 V, IC=0 | 1 | mA | ||
|
Aumento actual de DC |
hFE (1) | VCE= 5 V, IC= 0,5 A | 8 | 40 | ||
| hFE (2) | VCE= 5 V, IC= 1.5A | 5 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=1A, IB= 250 mA | 0,6 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
| Voltaje del emisor de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
|
Frecuencia de la transición |
pie |
VCE=10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Megaciclo |
||
| Tiempo de caída | tf | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
| Tiempo de almacenamiento | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASIFICACIÓN de hFE1
| Fila | |||||||
| Gama | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASIFICACIÓN de tS
| Fila | A1 | A2 | B1 | B2 |
| Gama | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete TO-92
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
| A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 1,050 | 1,350 | 0,042 | 0,054 |
| B | 1,350 | 1,650 | 0,053 | 0,065 |
| b | 0,500 | 0,700 | 0,020 | 0,028 |
| b1 | 0,700 | 0,900 | 0,028 | 0,035 |
| c | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| c1 | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| D | 6,350 | 6,650 | 0,250 | 0,262 |
| D1 | 5,200 | 5,400 | 0,205 | 0,213 |
| E | 5,400 | 5,700 | 0,213 | 0,224 |
| e | 2,300 TIPO. | 0,091 TIPOS. | ||
| e1 | 4,500 | 4,700 | 0,177 | 0,185 |
| L | 7,500 | 7,900 | 0,295 | 0,311 |
Persona de Contacto: David
