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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | VDS: | 30V |
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| Número de modelo: | HXY4812 | Caso: | Cinta/bandeja/carrete |
| VGS: | ±20V | Corriente continua del dren: | 6.5A |
| Alta luz: | interruptor de gran intensidad del mosfet,transistor de alto voltaje |
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HXY4812 30V se doblan MOSFET del canal N
Descripción general
La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de HXY4822A a
proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Esto
el dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en PWM
usos.
Resumen del producto
Grados máximos absolutos T =25°C a menos que se indicare en forma diferente
Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)
A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.
el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.
C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar
D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>
Persona de Contacto: David
