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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | VDSS: | 6,0 A |
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| Número de modelo: | 8205A | Aplicación: | Gestión del poder |
| Función: | Carga baja de la puerta | Transistor del Mosfet del poder: | SOT-23-6L Plástico-encapsulan |
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,interruptor de gran intensidad del mosfet |
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8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulan el MOSFET dual del canal N de los MOSFETS
Descripción general
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VDSS= V ID= 6,0 A z 20 |
G1 6 |
D1, D2 5 |
G2 4 |
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| z |
RDS (encendido) <> los 25m GS |
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| z |
RDS (encendido) <> los 32m GS |
1 2 3 S1 D1, D2 S2 |
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CARACTERÍSTICA
MOSFET del poder de z TrenchFET
z R excelenteDS(encendido)
carga baja de la puerta de z
poder más elevado de z y capacidad que da actual
paquete del soporte de la superficie de z
USO
protección de la batería de z
interruptor de la carga de z
gestión del poder de z
| Tipo mínimo unidad máxima de la condición de prueba del símbolo del parámetro |
| CHARACTERICTISCS ESTÁTICO |
| voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS VGS = 0V, identificación =250µA 19 V |
| Dren cero IDSS actual VDS =18V, del voltaje de la puerta µA VGS = 0V 1 |
| salida IGSS actual VGS =±10V, nA del Puerta-cuerpo de VDS = de 0V ±100 |
| Bloquee el voltaje del umbral (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificación =250µA 0,5 0.9V |
| Remita el tranconductance (gFS VDS =5V, identificación =4.5A 10 S de la nota 3) |
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
| CHARACTERICTISCS DINÁMICO (note4) |
| CISS de la capacitancia de la entrada 800 PF |
| Capacitancia de salida Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
| Capacitancia reversa Crss 125 PF de la transferencia |
| TRANSFERENCIA CHARACTERICTISCS (nota 4) |
| Tiempo de retraso de abertura TD (encendido) 18 ns |
| Tiempo de subida de abertura tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns |
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado TD (apagado) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns |
| Tiempo de caída de la vuelta-apagado tf 20 ns |
| Carga total Qg 11 nC de la puerta |
| Carga Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC de la Puerta-fuente |
| Carga Qgd 2,5 nC del Puerta-dren |
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de Pluse limitada por temperatura de empalme máxima
2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec t≤10.
3. Prueba del pulso: Pulso width≤300μs, deber el cycle≤2%.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción.
Dimensiones del esquema del paquete de SOT-23-6L
Persona de Contacto: David
