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8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V

Name: 8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 8H02ETS

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V

Ampliación de imagen : 8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	8H02ETS

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V

descripción

Nombre del producto:	transistor de poder del mosfet	VDSS:	6,0 A
Número de modelo:	8H02ETS	Aplicación:	Gestión del poder
Función:	Carga baja de la puerta	Transistor del Mosfet del poder:	SOT-23-6L Plástico-encapsulan
Alta luz:	interruptor de gran intensidad del mosfet , transistor de alto voltaje

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel

DESCRIPCIÓN

La tecnología avanzada del foso 8H02ETSuses a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y

operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.

CARACTERÍSTICAS GENERALES

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A

8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28m="">

RDS (ENCENDIDO) < 26m="">

RDS (ENCENDIDO) < 22m="">

RDS (ENCENDIDO) < 20m="">

Grado del ESD: 2000V HBM

Uso

Protección de la batería

Gestión del poder del interruptor de la carga

8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V 0

Marca del paquete e información el ordenar

Identificación del producto	Paquete	Marcado	Qty (PCS)
8H02ETS	TSSOP-8	8H02ETS WW YYYY	5000/3000

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Límite	Unidad
Voltaje de la Dren-fuente	VDS	20	V
Voltaje de la Puerta-fuente	VGS	±12	V
Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1)	Identificación	7	V
Disipación de poder máxima	Paladio	1,5	W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento	TJ, TSTG	-55 a 150	℃
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2)	RθJA	83	℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

8H02ETS se doblan carga baja de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 20V 1

NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. 2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS