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5G03SIDF 30V se doblan carga baja de la puerta del soporte de la superficie del interruptor del Mosfet

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
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5G03SIDF 30V se doblan carga baja de la puerta del soporte de la superficie del interruptor del Mosfet

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Ampliación de imagen :  5G03SIDF 30V se doblan carga baja de la puerta del soporte de la superficie del interruptor del Mosfet

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 5G03SIDF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

5G03SIDF 30V se doblan carga baja de la puerta del soporte de la superficie del interruptor del Mosfet

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet VDS: 30V
Número de modelo: 5G03SIDF Aplicación: circuitos de alta frecuencia
Función: Carga baja de la puerta VGS: +-12V
Alta luz:

interruptor de gran intensidad del mosfet

,

transistor de alto voltaje

MOSFET del modo del aumento de 5G03SIDF 30V N+P-Channel

 

 

Descripción

 

El foso avanzado de las aplicaciones 5G03S/DF

tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

 

 

Características generales

Canal N

VDS = 30V, ID =8A

RDS(ENCENDIDO)< 20m=""> GS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -6.2A

RDS(ENCENDIDO)< -50m=""> GS=-10V

 

Uso

Uso de la transferencia del poder

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia

Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Marca del paquete e información el ordenar

 
 
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Nota:

1, grado repetidor: Anchura pulsada limitada por temperatura de empalme máxima.

2, VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=17A., RG=25, comenzando TJ=25℃.

3, los datos probados por pulsado, ≦ 300us, ≦ el 2%. 4, esencialmente independientede la anchura de pulso del ciclo de trabajo de la temperatura de funcionamiento.

 
 
 
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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