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Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V

Name: Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 6G03S

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V

Ampliación de imagen : Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	6G03S

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V

descripción

Nombre del producto:	transistor de poder del mosfet	RDS (ENCENDIDO):	< 37m="">
Número de modelo:	6G03S	Identificación:	6.5A
Función:	Carga baja de la puerta	VGS:	-10V
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , interruptor de gran intensidad del mosfet

MOSFET del modo del aumento de 6G03S 30V N+P-Channel

Descripción

El foso avanzado de las aplicaciones 6G03S

tecnología para proporcionar R excelente_{DS(ENCENDIDO)} y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

Características generales

P-canal del canal N

Canal N

V_DS = 30V, I_D =6.5A

R_{DS(ENCENDIDO)}< 16m=""> GS=10V

P-canal

V_DS = -30V, I_D = -7A

R_{DS(ENCENDIDO)}< 37m=""> GS=-10V

Poder más elevado y capacidad que da actual

Se adquiere el producto sin plomo

Paquete superficial del soporte

Uso

Uso de la transferencia del poder del ●

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●

Sistema de alimentación ininterrumpida del ●

Marca del paquete e información el ordenar

Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V 0

Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Identificación 6.5A del MOSFET del modo del aumento del transistor de poder del Mosfet de 6G03S 30V 2

Notas:

1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.

3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción

características eléctricas del canal de 30V N+P-Channel EnhancemeN- y termales típicas (curvas)

etiqueta:

Persona de Contacto: David

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