Inicio Productos transistor de poder del mosfet

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

Name: 10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 10G03S

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

Estoy en línea para chatear ahora

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

Ampliación de imagen : 10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	10G03S

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

descripción

Nombre del producto:	transistor de poder del mosfet	Tipo:	Transistor del Mosfet
Número de modelo:	10G03S	Temperatura de empalme::	150℃
Aplicación:	Uso de la transferencia del poder	Características:	Se adquiere el producto sin plomo
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor de alto voltaje

MOSFET del modo del aumento de 10G03S 30V N+P-Channel

Descripción

El foso avanzado de las aplicaciones 10G03S

tecnología para proporcionar R excelente_{DS(ENCENDIDO)} y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

Características generales

Canal N

V_DS = 30V, I_D =10A

R_{DS(ENCENDIDO)}< 16m=""> GS=10V

P-canal

V_DS = -30V, I_D = -9A

R_{DS(ENCENDIDO)}< 37m=""> GS=-10V

Poder más elevado y capacidad que da actual

Se adquiere el producto sin plomo

Paquete superficial del soporte

Uso

Uso de la transferencia del poder del ●

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●

Sistema de alimentación ininterrumpida del ●

Marca del paquete e información el ordenar

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet 0

Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet 2

Características eléctricas de P-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Notas:

1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.

3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción

Características típicas del canal N

Características típicas del P-canal

etiqueta:

Persona de Contacto: David

Otros productos

Módulo AP6982GN2-HF del Mosfet del transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

Tipo: Transistor del efecto de campo
Nombre de producto: AP6982GN2-HF
Calidad: original
Uso: Aparatos electrodomésticos

transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

Number modelo:: AP4434AGYT-HF
Tipo:: LÓGICA ICS
Marca:: Marca original
Paquete:: DIP/SMD

APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

Uso:: Circuitos del interruptor
Number modelo:: APEC
Tipo del proveedor:: Fabricante original, agencia, minorista
VDS:: 30v

APEC de los ICs AP2302AGN-HF del transistor de poder de 1.38W 20A

Número de modelo: AP2302AGN-HF
Situación de RoHs:: Sin plomo/RoHS obediente
Calidad:: nuevo original del 100%
D/C:: El más nuevo

Condición del transistor de poder del Mosfet de AP1334GEU-HF 0.35W 8A nueva

número de parte: AP1334GEU-HF
Plazo de ejecución: En stock
Rosh: Sí
Condición: Nuevo

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

transistor de poder del mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo de transferencia dual

Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

diodo de rectificador rápido de la recuperación

diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

10G03S transistor del canal de N + de P, transistor electrónico del poder del Mosfet

transistor del mosfet del canal N

transistor de alto voltaje

transistor de alto voltaje,

transistor del mosfet del canal N,

interruptor de gran intensidad del mosfet

Módulo AP6982GN2-HF del Mosfet del transistor de G2012 20V 12A 10mr 2.4W

transistor de transferencia del diodo de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK

APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

APEC de los ICs AP2302AGN-HF del transistor de poder de 1.38W 20A

Condición del transistor de poder del Mosfet de AP1334GEU-HF 0.35W 8A nueva

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P