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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Ampliación de imagen :  MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 20G04S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Tipo: Transistor del Mosfet
Identificación del producto: 20G04S VDS: 40V
Características: Paquete superficial del soporte VGS: ±20V
Alta luz:

n channel mosfet transistor

,

high voltage transistor

MOSFET del modo del aumento de 20G04S 40V N+P-Channel

 

Descripción

El foso avanzado de las aplicaciones 20G04S

tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

 

Características generales

Canal N

VDS =40V, ID =20A

RDS(ENCENDIDO)< 35m=""> GS=10V

RDS(ENCENDIDO)< 42m=""> GS=4.5V

P-canal

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(ENCENDIDO)<40m> GS=-10V

RDS(ENCENDIDO)< 70m=""> GS=-4.5V

Poder más elevado y capacidad que da actual

Se adquiere el producto sin plomo

Paquete superficial del soporte

 

Uso

Uso de la transferencia del poder del ●

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●

Sistema de alimentación ininterrumpida del ●

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 0

Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 1
Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 2

 

 

Características eléctricas de P-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 3
 
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción
 
Características típicas del canal N
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 4MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 5MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 6MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 7MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 8MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 9
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 10
 
 
 
 
Características típicas del P-canal
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 11MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 12MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 13MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 14MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 15MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 16
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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