Datos del producto:
|
Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | VDS: | 30V |
---|---|---|---|
RDS (ENCENDIDO): | < 30m=""> | Número de modelo de VDS: | HXY4606 |
Características: | Paquete superficial del soporte | Caso: | Cinta/bandeja/carrete |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,interruptor de gran intensidad del mosfet |
MOSFET complementario de HXY4606 30V
Descripción
El HXY4606 utiliza technologyMOSFETs avanzados del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y el gatecharge bajo. Los MOSFETs complementarios pueden ser toform usado al alto interruptor lateral desplazado nivel, y para los usos de un ofother del anfitrión.
A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.
el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s. C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar el initialTJ=25°C.
D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>
F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.
Persona de Contacto: David