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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

Ampliación de imagen :  MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 20G04GD
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Características: Paquete superficial del soporte
Identificación: 20A Número de modelo: WST3078
VGS: -10V Aplicaciones: Gestión del poder
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

MOSFET del modo del aumento de 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Descripción

 

El foso avanzado de las aplicaciones 20G04GD 

tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO)

y carga baja de la puerta. Este dispositivo es

conveniente para el uso como interruptor de la carga o adentro

Usos de PWM.

 

 

CARACTERÍSTICAS GENERALES
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICACIÓN =20A RDS (ENCENDIDO) < 25m="">
 
Uso
Usos de PWM
Interruptor de la carga
Gestión del poder
 
 
Marca del paquete e información el ordenar
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 0
 

Ratings@T máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 1

N-CH Characteristics@ eléctrico T =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 2

P-CH Characteristics@T eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 3

 
 
P-CH Characteristics@T eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 4
 
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 5MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 6MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 7MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 8MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 9MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 10MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 11MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 12MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04GD 40V N+P 13
 
 
 
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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