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Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON

Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON

Ampliación de imagen :  Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: WSF3012
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON

descripción
Tipo: transistor de poder del mosfet Temperatura de empalme:: 150℃
RDSON: 50mΩ Número de modelo: WSF3012
Características: Carga baja estupenda de la puerta Uso: Punto-de-carga de alta frecuencia síncrona
Alta luz:

interruptor de gran intensidad del mosfet

,

transistor de alto voltaje

WSF3012 N-Ch y MOSFET del P-canal

 

Descripción

 

El WSF3012 es el foso N-ch del rendimiento más alto
y MOSFET P-ch con alta densidad de célula extrema,
para cuál proporcione RDSON excelente y bloquee la carga
la mayor parte de los usos síncronos del convertidor del dólar.
La reunión WSF3012 el RoHS y el producto verde
requisito el 100% EAS garantizado con la función completa
confiabilidad aprobada.

 

Producto veraniego

 

Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 0

 

 

Características
  • tecnología avanzada del foso de la densidad de célula de z alta
  • carga baja estupenda de la puerta de z
  • disminución excelente del efecto de z CdV/dt
  • z el 100% EAS garantizado
  • dispositivo del verde de z disponible

 

 

Usos

 

Punto-de-carga de alta frecuencia de z síncrona
  Convertidor del dólar para MB/NB/UMPC/VGA
sistema eléctrico del establecimiento de una red DC-DC de z
inversor del contraluz de z CCFL

 

Grados máximos absolutos

 

Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 1

 

 

Datos termales
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 2
 
 
 
Características eléctricas del canal N (℃ TJ=25, a menos que se indicare en forma diferente)
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 3
 
 
Características garantizadas de la avalancha
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 4
 
 
Características de diodo
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 5
 
 
 
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme 150℃
4. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
 
 
Características eléctricas del P-canal (℃ TJ=25, a menos que se indicare en forma diferente)
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 6
 
Características garantizadas de la avalancha
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 7
 
 
Características de diodo
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 8
 
Nota:
1. Los datos probaron por la superficie montada en un 1 tablero de inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
2. Los datos probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
3. Los datos de EAS muestran el grado máximo. La condición de prueba es VDD=-25V, VGS=-10V, L=0.1mH, IAS=-27.2A
4. La disipación de poder es limitada por temperatura de empalme 150℃
5. El valor mínimo es garantía probada EAS del 100%.
6. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
 
Características típicas del canal N
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 9Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 10
 
 
 
 
Características típicas del P-canal
 
 
Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 11Mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder del Mosfet WSF3012 50mΩ RDSON 12
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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