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Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet

(118)

Transistores de poder de la extremidad

(30)

Transistor de poder del silicio

(19)

Diodo de transferencia dual

(15)

Transistor de efecto de campo del MOS

(29)

Mosfet en doble canal

(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación

(6)

diodo Zener del poder

(6)

puente rectificador de Schottky

(10)

diodo de rectificador de alto voltaje

(15)

Triodo del semiconductor

(9)

Estabilizador IC del voltaje

(14)
Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃

Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃
Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃

Ampliación de imagen :  Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 50N06P/T
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Temperatura de empalme:: 150℃
Materiales: silicio Número de modelo: 50N06P/T
Caso: Cinta/bandeja/carrete Tipo: Transistor del Mosfet
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

MOSFET del modo del aumento del canal N de 50N06P/T 200V

 

Resumen del producto

 

El 18N20X utiliza tecnología plana avanzada para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
 
Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃ 0Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃ 1Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃ 2Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃ 3Temperatura de empalme material del silicio del transistor de efecto de campo del MOS de 50N06P/T 60V 150℃ 4

etiqueta:

interruptor del mosfet de la lógica,

conductor del mosfet que usa el transistor,

transistor de gran intensidad

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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