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Inicio Productos puente rectificador de Schottky

La media del puente rectificador de MBR1070CT Schottky rectificó la corriente de salida 10 A

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

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(15)

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Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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La media del puente rectificador de MBR1070CT Schottky rectificó la corriente de salida 10 A

La media del puente rectificador de MBR1070CT Schottky rectificó la corriente de salida 10 A

La media del puente rectificador de MBR1070CT Schottky rectificó la corriente de salida 10 A

Ampliación de imagen : La media del puente rectificador de MBR1070CT Schottky rectificó la corriente de salida 10 A

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	MBR1070CT

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

La media del puente rectificador de MBR1070CT Schottky rectificó la corriente de salida 10 A

descripción

Transistor del Mosfet del poder:	TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos	La media rectificó la corriente de salida:	10 A
IFSM:	150A	IO:	10A
Identificación del producto:	MBR1070CT, 80CT, 90CT, 100CT	Tstg:	-55~+150
Alta luz:	puente rectificador del diodo de Schottky , diodo de rectificador de la barrera de Schottky

MBR1070CT, 80CT, 90CT, 100CT TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos

CARACTERÍSTICA

Microprocesador de la barrera de Schottky
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
El anillo de guardia muere construcción para la protección transitoria
Alta capacidad de oleada
Capacidad de gran intensidad y caída de voltaje delantera baja
Para el uso en la baja tensión, inversores de alta frecuencia, rodar libre, y usos de la protección de la polaridad

MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)

ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)

Características típicas

etiqueta:

diodo de rectificador de la barrera de Schottky,

puente rectificador del diodo de Schottky,

defina el diodo de Schottky

Contacto

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Otros productos

Diodos encapsulados plástico del puente rectificador de MBR10150CT Schottky TO-220-3L

Transistor del Mosfet del poder: TO-220-3L Plástico-encapsulan
Función: Microprocesador de la barrera de Schottky
La media rectificó la corriente de salida: 10A
Disipación de poder: 2 W

Puente rectificador del diodo de MBR10150,200 Schottky, puente rectificador del diodo

Transistor del Mosfet del poder: TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos
Voltaje de bloqueo de DC: 150/200v
La media rectificó la corriente de salida: 10A
Disipación de poder: 2 W

Eficacia alta de la pérdida de la energía baja del puente rectificador de MBRB10100CT-B Schottky

Transistor del Mosfet del poder: TO-263-2L Plástico-encapsulan los diodos
Tipo: puente rectificador de Schottky
Función: Pérdida de la energía baja, eficacia alta
Voltaje reverso del RMS: 70V

Diodo de gran intensidad de MBR1070CT~100CT Schottky, puente rectificador del silicio

Transistor del Mosfet del poder: TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos
Powerdissipation: 2w
IFSM: 150A
IO: 10A

Capacidad de oleada del diodo de rectificador de la barrera de MBR3060CT/de MBR3060FCT Schottky alta

Transistor del Mosfet del poder: TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos
Tipo: Microprocesador de la barrera de Schottky
Utilice: Inversores de alta frecuencia
Voltaje reverso del RMS: 42V

Sobre

transistor de poder del mosfet: Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V; Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS; MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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