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1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399

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Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399

1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399
1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399

Ampliación de imagen :  1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 1N5391 CON 1N5399
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399

descripción
Características: Alta capacidad delantera de la sobretensión I (SISTEMA DE PESOS AMERICANO): 1.5Amp
IFSM: 50.0Amp CJ: 15.0pF
Identificación del producto: 1N5391 CON 1N5399 TJ: 150℃
Alta luz:

Diodo de rectificador de gran intensidad

,

diodo de rectificador de silicio

1N5391 CON 1N5399 remiten la corriente - 1.5Ampere

 

 

CARACTERÍSTICAS

  1. El paquete plástico lleva el laboratorio de los suscriptores
  2. Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad
  3. La construcción utiliza vacío-libre
  4. técnica plástica moldeada
  5. Salida reversa baja
  6. Alta capacidad delantera de la sobretensión
  7. El soldar de alta temperatura garantizado: 250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), 5 libras. tensión (2.3kg)

 

MECHANICALDATA
 
Caso: Cuerpo plástico moldeado DO-41 de JEDEC
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,
Method2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0.014ounce, 0.40grams
 
MUMRATINGS MAXI Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 
1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399 0
 
 
Nota:
1. Medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de 4.0VD.C.
 
2. Resistencia termal del empalme a la longitud de la ventaja del ambientat 0,375 (9.5m m), P.C.B.mounted
 
 
RATINGSANDCHARACTERISTICCURVES1N4001THRU1N4007
 
1N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399 11N5391 A TRAVÉS del soporte de alta frecuencia I (sistema de pesos americano) 1.5Amp de la superficie de los diodos de rectificador 1N5399 2
 

etiqueta:

puente rectificador de alto voltaje,

diodo de rectificador de silicio,

Diodo de rectificador de gran intensidad

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

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