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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
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| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 4N60 | ||
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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MOSFET del poder 2N60-TC3
2A, MOSFET del PODER del CANAL N 600V
El UTC 4N60-R es un MOSFET de alto voltaje del poder y se diseña tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y tener características rugosas altas de una avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en los usos de alta velocidad de la transferencia en las fuentes de alimentación, controles de motor de PWM, alto DC eficiente a los convertidores de DC y a los circuitos de puente.
CARACTERÍSTICAS
* RDS(ENCENDIDO)< 2=""> GS = 10 V
* capacidad rápida de la transferencia
* energía de la avalancha especificada
* capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
| Número el ordenar | Paquete | Asignación de Pin | El embalar | |||
| Sin plomo | El halógeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 4N60L-TF1-T | 4N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS de n (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 600 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±30 | V | |
| Corriente de la avalancha (nota 2) | IAR | 4 | A | |
| Drene la corriente | Continuo | ID | 4,0 | A |
| Pulsado (nota 2) | IDM | 16 | A | |
| Energía de la avalancha | Escoja pulsado (la nota 3) | EAS | 160 | mJ |
| Enarbole la recuperación del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Disipación de poder | PD | 36 | W | |
| Temperatura de empalme | TJ | +150 | °С | |
| Temperatura de funcionamiento | TOPR | -55 ~ +150 | °С | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ +150 | °С | |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD |
| Empalme a ambiente | θJA | 62,5 | °С/W |
| Empalme al caso | θJc | 3,47 | °С/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD | |
| DE CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corriente de la salida de la Dren-fuente | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | |||
| VDS=480V, TC=125°С | 100 | µA | |||||
| Corriente de la salida de la Puerta-fuente | Delantero | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Revés | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| Coeficiente de temperatura del voltaje de avería | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, referido a 25°C | 0,6 | V/°С | |||
| EN CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3,0 | 5,0 | V | ||
| Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10 V, ID=2.2A | 2,3 | 2,5 | Ω | ||
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | |||||||
| Capacitancia de la entrada | CISS |
VDS =25V, VGS=0V, f =1MHz |
440 | 670 | PF | ||
| Capacitancia de salida | COSS | 50 | 100 | PF | |||
| Capacitancia reversa de la transferencia | CRSS | 6,8 | 20 | PF | |||
| CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA | |||||||
| Tiempo de retraso de abertura | TD (ENCENDIDO) |
VDD=30V, ID=0.5A, RG=25Ω (Nota 1, 2) |
45 | 60 | ns | ||
| Tiempo de subida de abertura | tR | 35 | 55 | ns | |||
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (APAGADO) | 65 | 85 | ns | |||
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tF | 40 | 60 | ns | |||
| Carga total de la puerta | QG | VDS=50V, ID=1.3A, ID=100μA VGS=10V (nota 1, 2) | 15 | 30 | nC | ||
| Carga de la Puerta-fuente | QGS | 5 | nC | ||||
| Carga del Puerta-dren | QGD | 15 | nC | ||||
| GRADOS Y CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DEL DREN DE LA FUENTE | |||||||
| Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente | VSD | VGS=0V, IS=4.4A | 1,4 | V | |||
| El diodo continuo máximo de la Dren-fuente remite la corriente | IS | 4,4 | A | ||||
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El máximo pulsó diodo de la Dren-fuente Corriente delantera |
ISMO | 17,6 | A | ||||
| Tiempo de recuperación reversa | trr |
VGS=0 V, IS=4.4A, dIF/dt=100 A/μs (nota 1) |
250 | ns | |||
| Carga reversa de la recuperación | QRR | 1,5 | μC | ||||
Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
