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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
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| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 5N20DY | ||
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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5N20D / MOSFET del modo del aumento del canal N de Y 200V
El foso avanzado de las aplicaciones de AP50N20D
tecnología para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta.
Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar un alto interruptor lateral desplazado nivel, y para un anfitrión de otro
CARACTERÍSTICAS
VDS =200V, IDENTIFICACIÓN =5A
RDS (ENCENDIDO) <520m>
Uso
Transferencia de la carga
Cambiado difícilmente y el de alta frecuencia circula el sistema de alimentación ininterrumpida
| Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 200 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±20 | V |
| Drene Actual-continuo | Identificación | 5 | A |
| Drene Actual-pulsado (la nota 1) | IDM | 20 | A |
| Disipación de poder máxima | Paladio | 30 | W |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
| Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condición | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| De características | ||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corriente de la salida del Puerta-cuerpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| En las características (nota 3) | ||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
| Resistencia del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| Transconductancia delantera | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
| Características dinámicas (Note4) | ||||||
| Capacitancia de la entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
| Capacitancia de salida | Coss | - | 90 | - | PF | |
| Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | - | 3 | - | PF | |
| Características de la transferencia (nota 4) | ||||||
| Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | nS |
| Tiempo de subida de abertura | tr | - | 12 | - | nS | |
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (apagado) | - | 15 | - | nS | |
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tf | - | 15 | - | nS | |
| Carga total de la puerta | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
| Carga de la Puerta-fuente | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
| Carga del Puerta-dren | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
| Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
| Corriente delantera del diodo (nota 2) | IS | - | - | 5 | A | |
Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
