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el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 10N60
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Aplicación: Gestión del poder
Función: RDS excelente (encendido) Transistor del Mosfet del poder: MOSFET del poder del modo del aumento
Número de modelo: 10N60
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

MOSFET del PODER de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL

 

DESCRIPCIÓN

El UTC 10N60K-MTQ es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en usos de alta velocidad de la transferencia de las fuentes y de los adaptadores de alimentación de la transferencia.

 

el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet 0

 

 

CARACTERÍSTICAS

RDS(ENCENDIDO)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A

* capacidad rápida de la transferencia

* energía de la avalancha probada

* capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza

 

 

 

 

el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet 1

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número el ordenar Paquete Asignación de Pin El embalar
Sin plomo El halógeno libera   1 2 3  
10N60KL-TF3-T 10N60KG-TF3-T TO-220F G D S Tubo
10N60KL-TF1-T 10N60KG-TF1-T TO-220F1 G D S Tubo
10N60KL-TF2-T 10N60KG-TF2-T TO-220F2 G D S Tubo

 

 

Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente

 

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GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)

PARÁMETRO SÍMBOLO GRADOS UNIDAD
Voltaje de la Dren-fuente VDSS 600 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGSS ±30 V
Corriente continua del dren ID 10 A
Corriente pulsada del dren (nota 2) IDM 40 A
Corriente de la avalancha (nota 2) IAR 8,0 A
Energía de la avalancha Escoja pulsado (la nota 3) EAS 365 mJ
Enarbole la recuperación del diodo dv/dt (nota 4) dv/dt 4,5 ns

 

Disipación de poder

TO-220

 

PD

156 W
  TO-220F1   50 W
  TO-220F2   52 W
Temperatura de empalme TJ +150 °C
Temperatura de almacenamiento TSTG -55 ~ +150 °C

Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.

Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.

4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C

6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C

DATOS TERMALES

PARÁMETRO SÍMBOLO CLASIFICACIÓN UNIDAD
Empalme a ambiente θJA 62,5 °C/W
Empalme al caso θJC 3,2 °C/W

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)

 

 

PARÁMETRO SÍMBOLO CONDICIONES DE PRUEBA MINUTO TIPO Max UNIDAD
DE CARACTERÍSTICAS
Voltaje de avería de la Dren-fuente BVDSS VGS = 0V, ID = 250μA 600     V
Corriente de la salida de la Dren-fuente IDSS VDS = 600V, VGS = 0V     10 μA
Corriente de la salida de la fuente de la puerta Delantero IGSS VGS = 30V, VDS = 0V     100 nA
  Revés   VGS = -30V, VDS = 0V     -100 nA
EN CARACTERÍSTICAS
Voltaje del umbral de la puerta VGS (TH) VDS = VGS, ID = 250μA 2,0   4,0 V
Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente RDS (ENCENDIDO) VGS = 10V, ID = 5.0A     1,0
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
Capacitancia de la entrada CISS VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megaciclo   1120   PF
Capacitancia de salida COSS     120   PF
Capacitancia reversa de la transferencia CRSS     13   PF
CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA
Carga total de la puerta (nota 1) QG VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2)   28   nC
Carga de la Puerta-fuente QGS     8   nC
Carga del Puerta-dren QGD     6   nC
Tiempo de retraso de abertura (nota 1) TD (ENCENDIDO)

 

VDD =30V, ID =0.5A,

RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2)

  80   ns
Tiempo de subida de abertura tR     89   ns
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado TD (APAGADO)     125   ns
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado tF     64   ns
CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE Y GRADOS MÁXIMOS
El diodo continuo máximo de la Dren-fuente remite la corriente IS       10 A

El máximo pulsó diodo de la Dren-fuente

Corriente delantera

ISMO       40 A
Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente (nota 1) VSD VGS = 0 V, IS = 10 A     1,4 V


Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento. Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

 

el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet 4el interruptor de gran intensidad/10A 600V del Mosfet de 10N60 K-MTQ se dobla interruptor del Mosfet 5

 

 

Contacto
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