|
Datos del producto:
|
| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
|---|---|---|---|
| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 13P10D | ||
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
||
El transistor de poder del Mosfet de 13P10D -100V para la gestión ESD del poder protestó
DESCRIPCIÓN
El 13P10D utiliza tecnología y diseño avanzados del foso para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) el gat bajo
carga de e. Puede ser utilizada en una amplia variedad de usos. Es ESD protestado.
CARACTERÍSTICAS
VDS =-100V, IDENTIFICACIÓN =-13A
RDS (ENCENDIDO) <170m>
Tecnología de proceso del alto de la célula foso avanzado denso estupendo del diseño confiable y rugosa
Celldesign de alta densidad para la en-resistencia ultrabaja
Uso
Convertidores del interruptor DC/DC
Marca del paquete e información el ordenar
| Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
| 13P10D | TO-252 | 13P10D YYWW | 2500 |
Característica termal
| Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 2) | RθJc | 3,13 | ℃/W |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | -100 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±20 | V |
| Drene Actual-continuo | Identificación | -13 | A |
| Drene Actual-continuo (TC=100℃) | Identificación (100℃) | -9,2 | A |
| Corriente pulsada del dren | IDM | -30 | A |
| Disipación de poder máxima | Paladio | 40 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,32 | W/℃ | |
| Sola energía de la avalancha del pulso (nota 5) | EAS | 110 | mJ |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento. Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
