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Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED

Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED
Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED

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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 5N20DY TO-252
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Tipo: Canal N
Número de modelo: 5N20DY TO-252 voltaje de la Dren-fuente: 200 V
Voltaje de la Puerta-Fuente: ±20V Aplicaciones: Impulsión del LED
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED

 

Descripción del transistor de poder del Mosfet

 

El foso avanzado de las aplicaciones de AP50N20D

tecnología para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar un alto interruptor lateral desplazado nivel, y para un anfitrión de otro

 

Características generales del transistor de poder del Mosfet


V DS =200V, I D =5A
R DS (ENCENDIDO) <520m>

 

Uso del transistor de poder del Mosfet

 

Transferencia de la carga

Cambiado difícilmente y el de alta frecuencia circula el sistema de alimentación ininterrumpida

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
5N20D TO-252 5N20D 3000
5N20Y TO-251 5N20Y 4000

 

Grados máximos absolutos (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS 200 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±20 V
Drene Actual-continuo Identificación 5 A
Drene Actual-pulsado (la nota 1) IDM 20 A
Disipación de poder máxima Paladio 30 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento TJ, TSTG -55 a 150

 

Característica termal

 

Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) RθJA 4,17 ℃/W

 

Características eléctricas (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Parámetro Símbolo Condición Minuto Tipo Máximo Unidad
De características
Voltaje de avería de la Dren-fuente BVDSS VGS=0V ID=250μA 200 - - V
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta IDSS VDS=200V, VGS=0V - - 1 μA
Corriente de la salida del Puerta-cuerpo IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
En las características (nota 3)
Voltaje del umbral de la puerta VGS (th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,7 2,5 V
Resistencia del En-estado de la Dren-fuente RDS (ENCENDIDO) VGS=10V, ID=2A - 520 580 mΩ
Transconductancia delantera gFS VDS=15V, ID=2A - 8 - S
Características dinámicas (Note4)
Capacitancia de la entrada Clss

 

VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 580 - PF
Capacitancia de salida Coss - 90 - PF
Capacitancia reversa de la transferencia Crss - 3 - PF
Características de la transferencia (nota 4)
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido)

 

VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω

- 10 - nS
Tiempo de subida de abertura tr - 12 - nS
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado TD (apagado) - 15 - nS
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado tf - 15 - nS
Carga total de la puerta Qg

 

VDS=100V, ID=2A, VGS=10V

- 12   nC
Carga de la Puerta-fuente Qgs - 2,5 - nC
Carga del Puerta-dren Qgd - 3,8 - nC
Características de diodo de la Dren-fuente
Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD VGS=0V, IS=2A - - 1,2 V
Corriente delantera del diodo (nota 2) ES   - - 5 A

 

Notas:

  1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
  2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
  3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
  4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción

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Conmutación de líneas del transistor de poder del Mosfet del canal N 2A 600V para la impulsión del LED 3

 

Símbolo

Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 0,000 0,127 0,000 0,005
b 0,660 0,860 0,026 0,034
c 0,460 0,580 0,018 0,023
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,100 5,460 0,201 0,215
D2 0,483 TIPOS. 0,190 TIPOS.
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,186 2,386 0,086 0,094
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2,900 TIPO. 0,114 TIPOS.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
L3 1,600 TIPO. 0,063 TIPOS.
L4 0,600 1,000 0,024 0,039
Φ 1,100 1,300 0,043 0,051
θ
h 0,000 0,300 0,000 0,012
V 5,350 TIPO. 0,211 TIPOS.

 

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