Solicitar una cotización |
Inicio Productostransistor de poder del mosfet

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet

(118)

Transistores de poder de la extremidad

(30)

Transistor de poder del silicio

(19)

Diodo de transferencia dual

(15)

Transistor de efecto de campo del MOS

(29)

Mosfet en doble canal

(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación

(6)

diodo Zener del poder

(6)

puente rectificador de Schottky

(10)

diodo de rectificador de alto voltaje

(15)

Triodo del semiconductor

(9)

Estabilizador IC del voltaje

(14)
Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

Estoy en línea para chatear ahora

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica

Ampliación de imagen :  Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 18N20 TO-263
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica

descripción
Nombre del producto: transistor del canal N Características: Paquete superficial del soporte
Número de modelo: 18N20 TO-263 voltaje de la Dren-fuente: 200 V
Corriente continua del dren: 18A Aplicaciones: interruptor del mosfet de la lógica
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica
 
Descripción del transistor del canal N
 
La tecnología plana avanzada de las aplicaciones 18N20X
para proporcionar el Rds excelente (encendido), la carga de la puerta y la operación bajas con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo es conveniente para el uso como protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
Características generales
Vds = 200V identificación = 18A
Rds (encendido) < 120mQ=""> 
Marca del paquete e información el ordenar
 

Identificación del producto

Paquete

Marcado

Qty (PCS)

18N20P

TO-220

18N20P XXX YYYY

1000

18N20F

TO-263

18N20F XXX YYYY

1000

 
Grados máximos absolutos Tc=25°C a menos que se indicare en forma diferente
 

 Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 0
MOSFET del modo del aumento del canal N 200V
 

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 1
 

Prueba del pulso: Anchura de pulso < 300=""> 
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 2
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 3
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 4

Esquema del paquete TO-252

Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 5

DIMENSIONES (unidad: milímetro)

Símbolo

Minuto

Tipo

Máximo

Símbolo

Minuto

Tipo

Máximo

A

2,22

2,30

2,38

A1

0,46

0,58

0,93

b

0,71

0,79

0,89

b1

0,90

0,98

1,10

b2

5,00

5,30

5,46

c

0,20

0,40

0,56

D1

5,98

6,05

6,22

D2

--

4,00

--

E

6,47

6,60

6,73

E1

5,10

5,28

5,45

e

--

2,28

--

e1

--

4,57

--

Hd

9,60

10,08

10,40

L

2,75

2,95

3,05

L1

--

0,50

--

L2

0,80

0,90

1,10

w

--

0,20

--

y

0,20

--

--

 

 
Información del paquete de TO-220-3L
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 6

Símbolo

Dimensiones en milímetros

Dimensiones en pulgadas

Mínimo.

Máximo.

Mínimo.

Máximo.

A

4,400

4,600

0,173

0,181

A1

2,250

2,550

0,089

0,100

b

0,710

0,910

0,028

0,036

b1

1,170

1,370

0,046

0,054

c

0,330

0,650

0,013

0,026

cl

1,200

1,400

0,047

0,055

D

9,910

10,250

0,390

0,404

E

8,9500

9,750

0,352

0,384

E1

12,650

12,950

0,498

0,510

e

2,540 TIPO.

0,100 TIPOS.

EL

4,980

5,180

0,196

0,204

F

2,650

2,950

0,104

0,116

H

7,900

8,100

0,311

0,319

h

0,000

0,300

0,000

0,012

L

12,900

13,400

0,508

0,528

L1

2,850

3,250

0,112

0,128

V

7,500 REFERENCIA.

0,295 REFERENCIAS.

①

3,400

3,800

0,134

0,150

 
Información del paquete de O-263-2L
Paquete del soporte de la superficie del interruptor del transistor del canal N del modo del aumento/del Mosfet de la lógica 7

SÍMBOLO

Inc.

HIES

MILLIM

ETERS

NOTIES

MINUTO

Max

MINI

Max

A

0,170

0,180

4,32

4,57

 

A1

-

0,010

-

0,25

 

b

0,028

0,037

0,71

0,94

 

b2

0,045

0,055

1,15

1,40

 

c

0,018

0,024

0,46

0,61

 

c2

0,04|8

0,055

1,22

1,40

 

D

0,350

0,370

8,89

9,40

 

D1I

0,315

0,324

8,01

8,23

 

E

0,395

0,405

10,04

10,28

 

E1

0,310

0,318

7,88

8,08

 

e

0,100

BSCA.

2,54

BSCA.

 

L

0,580

0,620

14,73

15,75

 

L1I

0,090

0,110

2,29

2,79

 

L2

0,045

0,055

1,15

1,39

 

L3

0,050

0,070

1,27

1,77

 

B

0°

8°

cr

8°

 

etiqueta:

transistor de alto voltaje,

transistor del mosfet del canal N,

interruptor de gran intensidad del mosfet

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | China Bueno Calidad transistor de poder del mosfet Proveedor. © 2019 - 2022 mosfet-powertransistor.com. All Rights Reserved.

Deja un mensaje

¡Te llamaremos pronto!