Datos del producto:
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Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Tipo: | Componentes electrónicos |
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Número de modelo: | 30P03X TO-252 | voltaje de la Dren-fuente: | -30 V |
Voltaje de la Puerta-Fuente: | ±25 V | Tamaño: | Tamaño estándar |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Tamaño estándar electrónico del transistor de poder del Mosfet de los componentes 30P03X TO-252
Descripción del transistor de poder del Mosfet
La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones 30P03X
y diseño para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) punto bajo
gatecharge. Puede ser utilizado en una amplia variedad
usos.
Características generales del transistor de poder del Mosfet
VDS=-30V, ID=-40A
RDS (ENCENDIDO)<20m>
RDS (ENCENDIDO)<32m>
Uso del transistor de poder del Mosfet
Uso de la transferencia del poder del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Sistema de alimentación ininterrumpida del ●
Marca del paquete e información el ordenar
Grados máximos absolutos (T A =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Características eléctricas (T A =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Notas:
1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
4. garantizado por diseño, no conforme a la producción
Características eléctricas y termales típicas
Persona de Contacto: David