Datos del producto:
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Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Características: | Paquete superficial del soporte |
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Número de modelo: | 50P03NF TO-252 | voltaje de la Dren-fuente: | -30 V |
Voltaje de la Puerta-Fuente: | ±20 V | Aplicaciones: | Gestión del poder del interruptor de la carga |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga
DESCRIPCIÓN del transistor de poder del Mosfet
El 50P03NF utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar
r excelente DS (ENCENDIDO), carga de la puerta y operación bajas con la puerta
voltajes tan bajos como 4.5V. Este dispositivo es conveniente para
uso como interruptor del aload o en usos de PWM.
GENERAL CARACTERÍSTICAS del transistor de poder del Mosfet
V DS = -30V, I D = -50A
R del poder más elevado del DS (ENCENDIDO < 18m="">
) R DS (ENCENDIDO < 13m="">
) y capacidad que da actual
Se adquiere el producto sin plomo
Paquete superficial del soporte
Uso del transistor de poder del Mosfet
Usos de PWM
Interruptor de la carga
Gestión del poder
Marca del paquete e información el ordenar
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
NOTAS:
1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficie montada en el 1in 2 FR4 tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
Información del paquete DFN5X6-8
Persona de Contacto: David