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Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga

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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 50P03NF TO-252
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Características: Paquete superficial del soporte
Número de modelo: 50P03NF TO-252 voltaje de la Dren-fuente: -30 V
Voltaje de la Puerta-Fuente: ±20 V Aplicaciones: Gestión del poder del interruptor de la carga
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de poder del Mosfet de 50P03NF TO-252 para la gestión del poder del interruptor de la carga

 

DESCRIPCIÓN del transistor de poder del Mosfet

 

El 50P03NF utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar
r excelente DS (ENCENDIDO), carga de la puerta y operación bajas con la puerta
voltajes tan bajos como 4.5V. Este dispositivo es conveniente para
uso como interruptor del aload o en usos de PWM.


GENERAL CARACTERÍSTICAS del transistor de poder del Mosfet

 

V DS = -30V, I D = -50A
R del poder más elevado del DS (ENCENDIDO < 18m=""> ) R DS (ENCENDIDO < 13m=""> ) y capacidad que da actual
Se adquiere el producto sin plomo
Paquete superficial del soporte


Uso del transistor de poder del Mosfet


Usos de PWM
Interruptor de la carga
Gestión del poder

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Marca del paquete e información el ordenar

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GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

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CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

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NOTAS:


1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficie montada en el 1in 2 FR4 tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

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Información del paquete DFN5X6-8

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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