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P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V

Name: P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 60P03D TO-252

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V

Ampliación de imagen : P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	60P03D TO-252

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	negociación
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V

descripción

Nombre del producto:	transistor de poder del mosfet	Características:	Paquete superficial del soporte
Número de modelo:	60P03D TO-252	voltaje de la Dren-fuente:	-30 V
Voltaje de la Puerta-Fuente:	±20 V	Aplicaciones:	Convertidor de DC/DC para la exhibición del LCD
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor de alto voltaje

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V

DESCRIPCIÓN del transistor de poder del Mosfet

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de AP60P03D
y diseño para proveer de R excelente DS (ENCENDIDO) punto bajo
carga de la puerta. Thisdevice está bien adaptado
para los usos de gran intensidad de la carga.

GENERAL CARACTERÍSTICAS del transistor de poder del Mosfet

V DS =-30V, I D =-60A
Diseño de alta densidad de la célula de R DS <15m> (ENCENDIDO) R DS <20m> (ENCENDIDO) para Rdson ultrabajo
Voltaje y corriente completamente caracterizados de avalancha
Buenas estabilidad y uniformidad con alta E COMO
Paquete excelente para la buena disipación de calor

Uso del transistor de poder del Mosfet

Alto interruptor lateral para el convertidor lleno del puente
Convertidor de DC/DC para la exhibición del LCD

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V 0

Marca del paquete e información el ordenar

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V 1

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V 2

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V 3

NOTAS:

1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficie montada en el 1in 2 FR4 tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.

P canaliza el transistor de poder del Mosfet del modo del aumento 60P03D TO-252 30V 4

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

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Información del paquete DFN5X6-8

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etiqueta:

Persona de Contacto: David

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Plazo de ejecución: En stock
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Condición: Nuevo

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