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P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V
P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V

Ampliación de imagen :  P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 19P03 D-U-V
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V

descripción
Nombre del producto: N mecanografía el transistor V voltaje de la Dren-fuente del DSS: -30 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: ±20 V Temperatura de empalme máxima de T J: °C 150
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: °C -55 a 150 I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo): -90 A
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V

 

N mecanografía la introducción del transistor

 

Un MOSFET del poder es un tipo especial de transistor de efecto de campo del semiconductor de óxido de metal. Se diseña especialmente para manejar poderes de alto nivel. Los MOSFET del poder se construyen en una configuración de V. Por lo tanto, también se llama como V-MOSFET, VFET. Los símbolos MOSFET del poder del canal del canal N y del p se muestran en la figura abajo.

 

N mecanografía la característica del transistor


-30V/-90A
R DS (ENCENDIDO) = 4.8mΩ (tipo.) @V GS = 10V
R DS (ENCENDIDO) = 6.5mΩ (tipo.) @V GS = 4.5V
avalancha 100% probada
Confiable y rugoso
Dispositivos sin plomo y verdes
Disponible (RoHS obediente)

 

N mecanografía usos del transistor


Uso de la transferencia

Gestión del poder para los sistemas del inversor.

 

Información que ordena y de marcado

 

D U V
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
Código del paquete
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Material de la asamblea del código de fecha
YYXXX WW G: El halógeno libera

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100%
Final de la terminación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden la ventaja
Requisitos libres de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo.
HUAYI define “verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no se excede
900ppm por peso en material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de hacer cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y el improveme nts a
este producto y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V 0

Nota: * grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
** Superficie montada en el tablero FR-4.
*** Limitado por T J máximo, comenzando T J =25°C, L = 0.3mH, R G = 25Ω, V GS =10V.

 

Características eléctricas (Tc =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V 1

 

Características eléctricas (Cont.) (Tc =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V 2

 

Nota: prueba del *Pulse; ≤ 300us, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo

 

P canaliza el tipo transistor, Mosfet de alto voltaje de N del poder de 19P03 D-U-V 3

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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